碳化硅的性质

2024-07-15 21:13| 来源: 网络整理| 查看: 265

碳化硅主要有两种结晶形态：b-SiC和a-SiC。b-SiC为面心立方闪锌矿型结构，晶格常数a=0.4359nm。a-SiC是SiC的高温型结构，属六方晶系，它存在着许多变体。

碳化硅的折射率非常高，在普通光线下为2.6767~2.6480.各种晶型的碳化硅的密度接近，a-SiC一般为3.217g/cm3，b-SiC为3.215g/cm3.纯碳化硅是无色透明的，工业SiC由于含有游离Fe、Si、C等杂质而成浅绿色或黑色。绿碳化硅和黑碳化硅的硬度在常温和高温下基本相同。SiC热膨胀系数不大，在25~1400℃平均热膨胀系数为4.5×10-6/℃。碳化硅具有很高的热导率，500℃时为64.4W/(m·K)。常温下SiC是一种半导体。碳化硅的基本性质列于下表。

性质指标性质指标摩尔质量/(g/mol) 颜色密度/(g/cm3) 40.097 纯SiC为黄色，添加B、N、Al为棕色 a-SiC 3.217g/cm3 b-SiC 3.215g/cm3 德拜温度/K a-SiC 1200 b-SiC 1430 能隙/eV a-SiC（6H） 2.86 b-SiC 2.60 超导转变温度/K 5 摩尔热容/[J/(mol·K)] a-SiC 27.69 b-SiC 28.63 弹性模量/GPa 293K为475 1773K为441 生成热（198.15K时）/(kJ/mol) a-SiC 25.73±0.63 b-SiC 28.03±2.00 弹性模量/GPa 192 热导率/[W/(m·K)] a-SiC 40.0 b-SiC 25.5 体积模量/GPa 96.6 线膨胀系数/(10-6/K) a-SiC 5.12 b-SiC 3.80 泊松比n 0.142 300K时的介电常数 a-SiC(6H)9.66~10.03 b-SiC 9.72 抗弯强度/Mpa 350~600 电阻率/Ω·m a-SiC 0.0015~103 b-SiC 10-2~106 耐腐蚀性在室温下几乎是惰性

碳化硅具有耐高温、耐磨、抗冲刷、耐腐蚀和质量轻的特点。碳化硅在高温下的氧化是其损害的主要原因。

上一篇：碳化硅的用途

下一篇：碳化硅的合成

【本文地址】

公司简介

联系我们